מספר מוצר של יצרן:
TSM10NC65CF C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM10NC65CF C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 45W (Tc) Through Hole ITO-220S
מלאי:
1 יחידות חדשות מק originales במלאי
12897297
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM10NC65CF C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1650 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220S
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TSM10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM10NC65CFC0G
TSM10NC65CF C0G-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM10NC65CF
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TSM10NC65CF-DG
מחיר ליחידה
1.38
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM900N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
TSM60N750CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
TSM4NB60CH C5G
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
